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POSTECH annonce l’arrivée de dispositifs de mémoire pérovskite avec vitesse de commutation ultra-rapide

mémoire à base de perovskite

Dirigée par le professeur Jang-Sik Lee, une équipe de chercheurs de l’Université des sciences et technologies de Pohang (POSTECH) a développé avec succès une mémoire à base de pérovskite aux halogénures avec une vitesse de commutation ultra-rapide. 

Le Pérovskite est aujourd’hui un composant essentiel pour le développement de panneaux photovoltaïques. Ses nombreux avantages dans la conception de dispositifs solaires ne sont plus à discuter. Mais aujourd’hui, une équipe de chercheur du POSTECH indique qu’il sera également utilisé dans la production de mémoires avec une vitesse de commutation ultra-rapide.

Pérovskite : une conception simple

En raison de sa conception simple et de sa faible consommation d’énergie, la mémoire à commutateur de résistance est un candidat prometteur pour les périphériques de stockage de nouvelle génération. L’équipe a annoncé avoir déjà étudié divers matériaux pour ces types de mémoires. Toutefois, la pérovskite aux halogénures a reçu beaucoup d’attention en termes d’utilisation de la mémoire.  Il présente effectivement une charge de travail légère et un rapport marche/arrêt élevé.

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Cependant, les dispositifs de mémoire basés sur les halogénures de pérovskite ont des limites de vitesse de commutation lentes. Ce qui entrave leur application pratique dans les dispositifs de mémoire.

Dispositifs de mémoire à commutations ultra rapides

À cette fin, les chercheurs de POSTECH ont développé avec succès des dispositifs de mémoire à commutation ultra-rapide. Un dispositif faisant notamment appel à des pérovskites halogénures en utilisant une méthode combinée de calculs de premiers principes et de vérification expérimentale.

Parmi les 696 composés possibles de l’halogénure de pérovskite, le Cs3Sb2I9 avec une structure dimère a été sélectionné comme le meilleur candidat pour l’utilisation de la mémoire. Afin de vérifier les résultats des calculs, un module mémoire à base de Cs3Sb2I9 avec une structure dimère a été réalisé.

Ce type de mémoire fonctionne à une vitesse de commutation ultra-rapide de 20 ns, ce qui est plus de 100 fois plus rapide qu’un périphérique de stockage avec une structure en couches Cs3Sb2I9. De plus, de nombreux matériaux pérovskites contiennent du plomb (Pb), ce qui peut causer des problèmes. Toutefois, dans ce travail, l’utilisation de pérovskites sans plomb a éliminé ces problèmes environnementaux.

« Cette étude constitue une étape importante vers le développement d’une mémoire à commutation résistive; Une mémoire pouvant surtout fonctionner à une vitesse de commutation ultra-rapide », a fait remarquer le professeur Lee à propos de l’importance de la recherche. Il a ajouté que « ce travail offre une opportunité de concevoir de nouveaux matériaux pour les dispositifs de mémoire basés sur des calculs et une vérification expérimentale ».

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