in ,

La demande de SiC s’envole avec le fort intérêt pour les véhicules électriques

l'invasion des véhicules électriques

Selon TrendForce, la demande automobile de tranches de SiC de 6 pouces devrait atteindre 1,69 million d’unités en 2025. La raison : l’augmentation du taux de pénétration des VE et à la tendance à l’architecture haute tension 800V des VE.

Divers grands constructeurs automobiles vendent des véhicules électriques dotés d’une architecture de recharge de 800V. Des modelées comme la Porsche Taycan, l’Audi Q 6 e-tron et la Hyundai Ioniq 5.

L’arrivée de l’architecture de charge 800V pour les voitures électriques entraînera le remplacement des modules Si IGBT par des dispositifs de puissance SiC. Des dispositifs qui deviendront un composant standard dans les VFD (variateurs de fréquence) des VE grands publics.

pcloud

À ce titre, les principaux fournisseurs de composants automobiles privilégient généralement les composants SiC. En particulier, le fournisseur de niveau 1 Delphi a déjà commencé à produire en masse des onduleurs 800 V SiC. D’autres, comme BorgWarner, ZF et Vitesco, progressent également rapidement avec leurs solutions respectives.

À l’heure actuelle, les VE sont devenus une application essentielle des dispositifs de puissance carbure de silicium. Par exemple, l’utilisation du SiC dans les chargeurs embarqués (OBC) et les convertisseurs CC-CC est relativement mature. La production de masse de VFD à base de SiC n’a néanmoins pas encore atteint une grande échelle.

Les fournisseurs de semi-conducteurs de puissance ont commencé à collaborer avec les fournisseurs de niveau 1 et les constructeurs automobiles. Ils ont pour objectf  d’accélérer le déploiement du carbure de silicium dans les applications automobiles.

Il convient de souligner que l’approvisionnement en amont des matériaux de substrat SiC deviendra le principal goulot d’étranglement de la production de dispositifs de puissance SiC. Les substrats SiC impliquent des processus de fabrication complexes, des barrières techniques élevées à l’entrée et une croissance épitaxiale lente.

La grande majorité des substrats SiC de type n utilisés pour les dispositifs à semi-conducteurs de puissance ont un diamètre de 6 pouces.

Développement de plaquettes de SiC de 8 pouces

Il faut admettre que les principaux IDM tels que Wolfspeed ont bien progressé dans le développement de plaquettes de SiC de 8 pouces. Il faut toutefois plus de temps pour augmenter le taux de rendement. De même pour faire passer les usines de semi-conducteurs de puissance de lignes de production de 6 pouces à des lignes de production de 8 pouces.

Par conséquent, les substrats SiC de 6 pouces resteront probablement la norme pendant encore au moins cinq ans. D’autre part, le marché des véhicules électriques connaissant une croissance explosive. Les dispositifs de puissance SiC étant de plus en plus adoptés dans les applications automobiles. Les coûts du SiC détermineront à leur tour directement le rythme du déploiement de l’architecture de charge 800V dans les véhicules électriques.

 

Laisser un commentaire

Votre adresse e-mail ne sera pas publiée. Les champs obligatoires sont indiqués avec *