Après le rachat de Cypress, le concepteur originel de la technologie HyperRam, en 2015, Infineon continue de l’améliorer en collaboration avec le Taïwanais Winbond. Winbond et Infineon viennent ainsi d’annoncer le lancement de la nouvelle génération avec une bande passante doublée. Elle est baptisée HyperRam 3.0.
Considéré comme le fournisseur leader de solutions de mémoire, Infineon ne cesse d’innover pour offrir à ses clients un portefeuille complet de solutions dotées de performances élevées dans des formats plus petits pour les applications IoT 2.0.
Dans cette visée, l’entreprise estime que la gamme de produits HYPERRAM représente la meilleure alternative à la pseudo-SRAM traditionnelle. De fait, grâce à son architecture à brochage limitée, cette mémoire est particulièrement indiquée pour les applications IoT à faible consommation et à espace de carte limités qui nécessite une RAM externe hors puce.
C’est notamment le cas des appareils portables et dispositifs dans les applications automobiles. Mais aussi des systèmes d’infodivertissement et de télématique. Sans oublier les systèmes de la vision industrielle, modules de communication et écrans IHM.
Dans les faits, “ces mémoires compactes, à faible consommation et simples à contrôler conviennent à la prochaine génération d’objets connectés et permettent d’améliorer leur performance». Comme le précise Ramesh Chettuvetty, directeur marketing chez Infineon.
D’autant plus que les appareils IoT d’aujourd’hui nécessitent une performance mémoire bien plus élevée. Ceci non seulement pour la communication de machine à machine. Mais aussi pour effectuer un contrôle vocal ou des inférences tinyML.
De son côté, Winbond affirme que les mémoires HYPERRAM pourront simplifier de manière considérable l’implantation sur la carte. De plus, grâce au processeur compact avec moins de broche, elles permettent de prolonger la durée de vie de la batterie des appareils mobiles. Et cela, tout en garantissant un débit plus élevé par rapport aux DRAM, SDRAM et CRAM/PSRAM basse consommation.
Winbond et Infineon : Zoom sur HYPERRAM 3.0
Pour rappel, HYPERRAM est une pseudo-SRAM basse consommation et haute vitesse dotée d’un faible nombre de broches. Elle se destine aux systèmes embarqués hautes performances qui nécessitent une extension de mémoire pour des objectifs de bloc-notes ou de mise en mémoire tampon.
La nouvelle génération, HYPERRAM 3.0 est capable de fonctionner sous le même signal de commande et adresse ainsi qu’un format de bus de données et alimentation en veille similaire. Mais, avec une bande passante bien plus élevée.
Dans les détails, HYPERRAM 3.0 pourra tourner comme l’HYPERRAM 2.0 et la RAM xSPI d’OCTAL jusqu’à 200 MHz sous 1,8V. Mais, avec une bande passante doublée à 800 Mo/s. En outre, elle fonctionnera via une interface IO HyperBus étendue à 22 broches.
Les premiers modèles auront une capacité de 256 Mbits dans un package KGD et WLCSP. Leur implémentation pourront ainsi se faire directement au niveau du composant, du module ou du PCB du produit final.
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